[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680038980.8 | 申请日： | 2006-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101292328A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 尺田幸男;园部雅之;伊藤范和 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高特性的氮化物半导体元件，该氮化物半导体元件以MgxZn1－xO(0≤x≤0.5)这样的氧化锌类化合物作为基板，在其上部生长的氮化物半导体层的结晶性良好，并且能够防止膜的脱落和裂纹的发生，漏电电流小。当在基板(1)上叠层氮化物半导体层而形成氮化物半导体元件时，基板(1)由MgxZn1－xO(0≤x≤0.5)这样的氧化锌类化合物构成，在该基板(1)上相接设置有由AlyGa1－yN(0.05≤y≤0.2)构成的第一氮化物半导体层(2)，在该第一氮化物半导体层(2)上叠层有氮化物半导体层(3)～(5)，使得形成半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，其为在基板上叠层氮化物半导体层而形成的氮化物半导体元件，其特征在于：所述基板由氧化锌类化合物构成，与该基板相接设置有由AlyGa1-yN构成的第一氮化物半导体层，在该第一氮化物半导体层上叠层有氮化物半导体层，以形成半导体元件，其中，0.05≤y≤0.2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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