[发明专利]晶体管的制造

摘要

一种例如高电子迁移率晶体管的晶体管的制造方法，每一个晶体管包括在共用衬底之上的多个外延层，该方法包括：(a)在多个外延层的第一表面上形成多个源极接点；(b)在第一表面上形成至少一个漏极接点；(c)在第一表面上形成至少一个栅极接点；(d)在栅极接点、源极接点和漏极接点之上和之间形成至少一个绝缘层；(e)在至少一个绝缘层的至少一部分上形成导电层，以连接源极接点；以及(f)在导电层之上形成至少一个热沉层。

主权项

1、一种制造晶体管的方法，每一个晶体管包括在共用衬底上的多个外延层，该方法包括：在多个外延层的第一表面上形成多个源极接点；在第一表面上形成至少一个漏极接点；在第一表面上形成至少一个栅极接点；在栅极接点、源极接点和漏极接点之上和之间形成至少一个绝缘材料层，以绝缘栅极接点、源极接点和漏极接点；在至少一个绝缘层的至少一部分上并穿过其形成导电层，用于连接源极接点；以及在导电层上形成至少一个热沉层。