[发明专利]形成在单个薄片上的半导体激光器谐振腔有效
| 申请号： | 200680039345.1 | 申请日： | 2006-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101553962A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | A·A·贝法;W·兰斯 | 申请（专利权）人： | 宾奥普迪克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/105 | 分类号： | H01S3/105;H01S5/00;H01S5/02;H01S5/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘 佳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 单个 薄片 半导体激光器 谐振腔 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器装置，包括：基底；在所述基底上的外延生长层结构；长度为lc的激光器谐振腔，所述激光器谐振腔在所述外延生长层内形成，所述激光器谐振腔具有至少一个垂直于所述基底平面的刻蚀腔面表面；长度为ls的薄片，所述薄片通过分离所述基底形成且结合所述激光器谐振腔，ls大于所述激光器谐振腔长度lc；所述薄片的从所述激光器谐振腔光束轴的中心到所述薄片的刻蚀顶部表面的距离为h，从所述薄片的边缘到所述刻蚀腔面的距离为a；所述激光器谐振腔能够产生具有半高宽垂直远场角![]()
的激光器输出光束；并且其中，比例h/a等于或大于tan ( 2 ln 2 × θ 2 ) .
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