[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 200680039739.7 | 申请日： | 2006-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101297394A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 阿部由之;宫崎忠一;武藤英生;东野朋子 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/36;B23K26/40 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在通过隐形切割来分割半导体晶片1W的情况下，使切断区域CR的测试用焊盘1LBt和对准标线Am靠近切断区域CR的宽度方向的一侧而进行配置，将用于形成改质区域PR的激光束照射到在平面上远离测试用焊盘1LBt和对准标线Am靠近切断区域CR的位置。由此，就能够在采用了隐形切割的半导体晶片的切断处理中降低或者防止切断形状缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：(a)准备沿着厚度方向具有互为相反一侧的主面和背面的半导体晶片的步骤；(b)在上述半导体晶片的主面形成元件的步骤；(c)在上述半导体晶片的主面上形成布线层的步骤；(d)使上述半导体晶片薄型化的步骤；(e)通过沿着上述半导体晶片的芯片分离区域对准聚光点向上述半导体晶片的内部照射激光来形成在以后的半导体晶片切断步骤中作为上述半导体晶片的分割起点的改质区域的步骤；以及(f)通过折弯上述半导体晶片而将上述改质区域作为起点来切断上述半导体晶片而将其分割成半导体芯片的步骤，其中，在上述(e)步骤中，向上述芯片分离区域的检查用焊盘的旁边照射上述激光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
