[发明专利]晶体管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680039811.6 | 申请日： | 2006-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101297407A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | C·黄;J·A·欣茨曼;D·J·施勒曼;H·廖 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管器件及其制造方法，该晶体管器件包括第一型半导体材料的轻掺杂层(42)以及第二型半导体材料的体区(44)。在体区(44)内形成第一型的源区(46)。源区(46)比轻掺杂层掺杂的更多。在轻掺杂层(42)内形成第一型的漏区(50)，漏区(50)比轻掺杂层(42)掺杂的更多。还提供设置在体区(44)和漏区(50)之间的轻掺杂层(42)的漂移区(54)。另外，提供包围漏区的栅电极。栅电极(34A)部分设置在薄氧化物(36)上且部分设置在厚氧化物(56)上，其中从薄氧化物(36)在厚氧化物(56)上延伸的栅电极(34A)控制漂移区内的电场以增大漏区(50)的雪崩击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件，包括：第一型半导体材料的轻掺杂层(42)；第二型半导体材料的体区(44)；在所述体区(44)内形成的所述第一型的源区(46)，所述源区(46)比所述轻掺杂层(42)掺杂得更多；在所述轻掺杂层(42)内形成的所述第一型的漏区(50)，所述漏区(50)比所述轻掺杂层(42)掺杂得更多；设置在所述体区(44)和所述漏区(50)之间的所述轻掺杂层(42)的漂移区(54)；以及包围所述漏区(50)的栅电极(34A)，所述栅电极(34A)部分设置于薄氧化物(36)上并且部分设置于厚氧化物(56)上，其中从所述薄氧化物(36)上方在所述厚氧化物(56)上延伸的所述栅电极(34A)控制所述漂移区(54)内的电场以增大所述漏区(50)的雪崩击穿。
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