[发明专利]等离子体反应器有效
申请号: | 200680039949.6 | 申请日: | 2006-09-26 |
公开(公告)号: | CN101297062A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | A·J·西利;M·拉多伊乌 | 申请(专利权)人: | 爱德华兹有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/56;B01D53/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 庞立志;韦欣华 |
地址: | 英国西萨*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 一种等离子体反应器(10),其包括具有气体入口(18)和气体出口(20)的微波共振腔(12),用于将微波辐射传送到共振腔的波导(14),和用于将包含离子的等离子体物流注入到共振腔的等离子体炬(40),所述离子用于与从气体入口(18)流到气体出口(20)的气体反应。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 反应器 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体反应器,其包括具有气体入口和气体出口的微波共振腔,用于将微波辐射传送到共振腔的波导,和用于将包含离子的等离子体物流注入到共振腔的等离子体炬,所述离子用于与从气体入口流到气体出口的气体反应。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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