[发明专利]用于光刻法的系统、掩模和方法有效
申请号: | 200680039952.8 | 申请日: | 2006-09-13 |
公开(公告)号: | CN101297390A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | D·艾布拉姆斯;彭丹平;S·奥谢尔 | 申请(专利权)人: | 朗明科技公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华;陈宇萱 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 使用通过掩模函数定义的轮廓来表示光掩模图案。给出目标图案,将轮廓最优化,以便当在光刻法工艺中使用所定义的光掩模时,印刷晶片图案忠实于目标图案。最优化利用“效益函数”,用于对以下方面进行编码:光刻法工艺、关于得到的图案(例如,约束为直线型图案)的优选选项、抗工艺变化的鲁棒性、以及关于光掩模的实际和经济制造性而实施的约束。 | ||
搜索关键词: | 用于 光刻 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于确定在光刻法工艺中的光掩模上使用的掩模图案的方法,其中所述光掩模具有拥有不同光学属性的多个不同类型的区域,所述方法包括:将目标图案划分成为所述目标图案的子集;提供第一掩模图案,所述第一掩模图案包括与所述光掩模的所述不同类型的区域相对应的多个不同类型的区域,其中所述第一掩模图案与所述目标图案的所述子集的至少一个相对应;确定与所述第一掩模图案相对应的第一函数,其中所述第一函数的范围具有大于所述第一掩模图案的不同类型区域的数目的基数,以及其中所述第一函数的域与所述第一掩模图案的平面相对应;以及至少部分地基于所述第一函数来生成第二函数,其中所述第二函数与第二掩模图案相对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造