[发明专利]带IM2对消的下变频混频器有效
申请号: | 200680040114.2 | 申请日: | 2006-08-30 |
公开(公告)号: | CN101297474A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | M·陈;Y·吴 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03D7/14 | 分类号: | H03D7/14 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈炜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种带IM2对消的下变频混频器,包括混频器、IM2发生器、和比例定标单元。此混频器用LO信号将输入RF信号下变频并产生输出基带信号。此IM2发生器包括接收此输入RF信号并产生具有IM2畸变的中间信号的第一和第二场效应晶体管(FET)。此比例定标单元比例定标该中间信号以产生经比例定标的信号并进一步将此经比例定标的信号与上述输出基带信号组合以对消该输出基带信号中的IM2畸变。此IM2发生器可进一步包括分别耦合在上述第一和第二FET的源极与栅极之间的第一和第二放大器。通过对这些放大器使用不同的增益,可在上述中间信号中产生不同量的IM2畸变和不同的温度变化模式。 | ||
搜索关键词: | im2 对消 变频 混频器 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:混频器,用于以本机振荡器(LO)信号将输入射频(RF)信号下变频并生成输出基带信号;以及IM2发生器,包含用于接收所述输入RF信号并生成具有二阶互调(IM2)畸变的中间信号的第一和第二场效应晶体管(FET),其中所述中间信号是用来对消所述输出基带信号中的IM2畸变的。
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