[发明专利]用于激光烧蚀的靶及其制造方法无效
| 申请号： | 200680040130.1 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101313081A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 小嶋正大 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C01G1/00;C04B35/45 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 郑树槐;张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及激光烧蚀用靶及其制造方法，其作为不需要与衬板结合而能够适于激光烧蚀法用靶使用，本发明还提供RE类氧化物超导烧结体的制造方法。准备各种粉末或者溶液，用组成式REaBabCucOx来表示RE类氧化物超导体时，称量混合各种粉末或溶液，使a+b+c＝6，0.95＜a＜1.05，1.505≤c/b＜1.6，进行预烧成、粉碎、烧成、粉碎和成形而得到RE类氧化物超导烧结体，将该RE类氧化物超导烧结体作为靶使用于激光烧蚀中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 激光 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光烧蚀用靶，该激光烧蚀用靶包含由通式REaBabCucOx(其中，RE为钇和/或稀土元素)表示的RE类氧化物超导烧结体，其中，a+b+c＝6，0.95＜a＜1.05，1.505≤c/b＜1.6，该氧化物超导烧结体中含有的氧化物超导晶粒的晶界，有氧化铜和/或含铜氧化物和/或Ba-Cu化合物的析出相存在。
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