[发明专利]用于提供减小表面积的电极的半导体器件和方法无效
| 申请号： | 200680040209.4 | 申请日： | 2006-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101611495A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 保罗·W·布拉齐斯;丹尼尔·R·加莫塔;克里希纳·卡利亚纳孙达拉姆;张婕 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种诸如半导体器件的装置(200)，包括栅电极(201)和至少第一电极(202)。第一电极优选地具有确定的周界，其至少部分地相对于栅电极重叠，由此形成相应的晶体管沟道。在优选方式中，第一电极具有减小了的表面积，但仍然是上述的确定的周界。而这又帮助减小了任何相应的寄生电容。表面积的减小可以通过例如提供通过第一电极的特定部分的开口(203)而完成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提供 减小 表面积 电极 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：栅电极；至少第一电极，其至少部分地与栅电极重叠，由此形成相应的晶体管沟道，其中所述第一电极具有贯穿其中的至少一个特意形成的开口，由此减小第一电极的表面积并由此减小相应的寄生电容。
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