[发明专利]自锁模半导体激光器无效

专利信息
申请号: 200680040250.1 申请日: 2006-10-20
公开(公告)号: CN101351938A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: W·杨;章力明 申请(专利权)人: 卢森特技术有限公司
主分类号: H01S5/065 分类号: H01S5/065
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘杰;王小衡
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 自锁模半导体激光器。一种带间自锁模(SML)半导体激光器使用包括有源波导部分(101)和共同增强自锁模的一个或多个无源波导部分(301A、301B、301B’)的有源波导结构。该SML激光器工作是基于通过将有源部分与一个或多个无源波导部分垂直光学组合的增强克尔透镜锁模。
搜索关键词: 半导体激光器
【主权项】:
1.一种自锁模半导体激光器,包括:n+磷化铟(InP)衬底;沉积在所述n+InP衬底上的P+磷化铟(InP)层;掩埋在所述InP层内的有源波导部分;以及掩埋在所述InP层内并与所述MQW有源波导部分分隔的第一无源波导部分P1。
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