[发明专利]具有减少的栅极氧化物泄漏的取代金属栅极晶体管有效
| 申请号： | 200680040575.X | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101300680A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | J·潘;J·佩尔兰 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过在栅极氧化物层与金属栅极电极之间形成保护层来达成用于取代金属栅极晶体管的具有减少的泄漏的薄而有效的栅极氧化物厚度，因而减少应力。实施例包括形成含有金属碳化物的非晶形碳(amorphous carbon)的保护层，该金属碳化物的浓度从该金属栅极电极朝向该栅极氧化物层跨过该保护层而降低。方法的实施例包括移除可移除的栅极，在栅极氧化物层上沉积非晶形碳层，形成金属栅极电极，及然后在升高的温度加热以使金属从该金属栅极电极扩散进入该非晶形碳层，因而形成金属碳化物。实施例亦包括具有高介电常数的栅极氧化物层及硅集中在该金属栅极电极与衬底的接口处的金属栅极晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 栅极 氧化物 泄漏 取代 金属 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：衬底(10)；在所述的衬底(10)上的栅极介电层(12)；在所述的栅极介电层(12)上的保护层(70)；以及在所述的保护层(70)上的金属栅极电极(60)；其中，所述的保护层(70)在所述的栅极介电层(12)与所述的金属栅极电极(60)之间具有渐变的组成。
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