[发明专利]交叉点结构的半导体存储装置

摘要

一种交叉点结构的半导体存储装置，具有：多个第一电极布线，在相同方向上延伸；多个第二电极布线，与该第一电极布线交叉；存储材料体，用于在第一电极布线和第二电极布线的交点处存储数据，由于因各电极布线的布线电阻引起的电压降，施加在存储材料体上的有效电压在存储单元阵列内产生偏差。到任意交点的第一电极布线的布线电阻值与到该交点的第二电极布线的布线电阻值之和在各任意交点彼此间实质上为恒定，另外，在第一电极布线或第二电极布线的至少任意一个上连接有以调整存储单元阵列内的电极布线电阻的偏差为目的的负载电阻体。

主权项

1.一种交叉点结构的半导体存储装置，具有：多个第一电极布线，在相同方向上延伸；多个第二电极布线，与所述第一电极布线交叉；存储材料体，用于在所述第一电极布线和所述第二电极布线的交点处存储数据，其特征在于：到任意所述交点的所述第一电极布线的布线电阻值与到该交点的所述第二电极布线的布线电阻值之和在各任意所述交点彼此间实质上为恒定。