[发明专利]磁控管溅射装置用的磁体构件、阴极单元以及磁控管溅射装置无效
| 申请号： | 200680041174.6 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101300372A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 近藤隆彦;堀崇展;岩崎安邦;米山信夫 | 申请（专利权）人： | 新明和工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 衷诚宣 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够利用简单的驱动机构改变靶表面上的磁力线分布，谋求靶的均匀侵蚀的磁体构件。磁体构件(110)具备配置于靶(20)的背面(20B)一侧，而且配置得能够形成达到靶(20A)表面的主磁力线的主磁体(10、13)、配置于所述靶(20)的背面(20B)一侧，配置得可形成能够改变主磁力线形成的磁通密度分布的校正磁力线的校正磁体(11)、配置于所述靶(20)的背面(20B)一侧的所述校正磁力线的磁路(21A、21B、24)、以及能够改变贯通磁路(21A、21B、24)内部的校正磁力线的强度的磁场校正手段(12、14)。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控管 溅射 装置 磁体 构件 阴极 单元 以及 | ||
【主权项】：
1.一种磁控管溅射装置用的磁体构件，其特征在于，具备配置于靶的背面侧，而且配置得能够形成达到所述靶表面上的主磁力线的主磁体、配置于所述靶的背面侧，配置得可形成能够改变所述主磁力线形成的磁通密度分布的校正磁力线的校正磁体、配置于所述靶的背面侧的所述校正磁力线的磁路、以及能够改变贯通所述磁路内的所述校正磁力线的强度的磁场校正手段。
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