[发明专利]光电变换装置无效
申请号: | 200680041292.7 | 申请日: | 2006-11-08 |
公开(公告)号: | CN101300682A | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | 冈田健一;京田豪;林孝一;富田贤时;有宗久雄 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种光电变换装置,在导电性基板(1)的表面上,在表层上形成有第2导电型的半导体部(4)的第1导电型的结晶半导体粒子(2)多个相互隔开间隔而接合在导电性基板(1),并且在该结晶半导体粒子(2、2)间的导电性基板(1)上形成有绝缘层(3),透光性导体层(5)形成在绝缘层(3)上以及上述结晶半导体粒子(2)上,进而在该透光性导体层(5)的表面形成有集电极(7),上述集电极(7)由形成有能使外光照射到上述各结晶半导体粒子(2)的多个贯通孔(40)的导电板构成,上述透光性导体层(5)以及上述集电极(7)上设置有透光性聚光层(8),因此能够提供一种以简单的工序来抑制电阻损耗,同时消除遮蔽损耗的高效率的光电变换装置。 | ||
搜索关键词: | 光电 变换 装置 | ||
【主权项】:
1、一种光电变换装置,在导电性基板的表面作为光电变换元件起作用的多个半导体要素互相隔开间隔而配置,并且在上述多个半导体要素之上以及它们之间的上述导电性基板上形成有透光性导体层,进而在该透光性导体层的表面形成有集电极,上述集电极由形成有能使外光照射到上述各半导体要素的多个贯通孔的导电板构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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