[发明专利]簇射极板及采用该簇射极板的等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200680041735.2 | 申请日： | 2006-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101305451A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;松冈孝明 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3065;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理用簇射极板，是由多个配管形成的等离子体处理用簇射极板(31)，配管(31A3)由多孔质材料构件(44)和金属构件(41)构成，该多孔质材料构件(44)被沿着配管配置，对于原料气体具有规定的气孔率，朝向外侧呈凸状；该金属构件(41)与多孔质材料构件(44)对向配置，与多孔质材料构件(44)一起形成原料气体流路(43)。可以实现一种喷嘴构造，使原料气体呈扩散状喷出。 | ||
| 搜索关键词： | 极板 采用 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置用簇射极板，其具有以在邻接的配管间形成开口部的方式配置多个配管的构造，在所述配管内部形成有第1气体流路和第2气体流路，该第2流路与所述第1气体流路连接配置，包含对处理用气体具有透过特性的多孔质材料构件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社，未经国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680041735.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
