[发明专利]氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件制造方法无效
| 申请号： | 200680041787.X | 申请日： | 2006-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101305478A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 中原健;山口敦司 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，即使是电极相对设置、并且通过蚀刻形成有芯片分离用或激光剥离用的分离槽的氮化物半导体发光元件，也不会对发光区域造成损伤，也不会劣化。在n型氮化物半导体层(2)上，从p侧看在越过活性层(3)的区域形成有台阶(A)。通过保护绝缘膜(6)，n型氮化物半导体层(2)的局部、活性层(3)、p型氮化物半导体层(4)、p电极(5)的侧面和p电极(5)的上侧局部被覆盖到该台阶(A)的部分。通过用保护绝缘膜(6)覆盖芯片侧面的结构，在通过蚀刻形成芯片分离用或激光剥离用分离槽的情况下，活性层(3)等不会长时间曝露于蚀刻气体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化物半导体发光元件，至少依次具备：n侧电极、n型氮化物半导体层、发光区域、p型氮化物半导体层、p侧电极，其特征在于，在所述发光区域的n侧电极侧具有台阶，从所述p侧电极到台阶位置，沿层叠方向形成有第一保护绝缘膜。
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