[发明专利]包括具有与应力层相邻的有源区的晶体管结构的电子器件以及用于形成该电子器件的工艺

摘要

一种电子器件(10)，可以包括第一传导类型的晶体管结构(50)、场隔离区(22)、和位于场隔离区上面的第一应力类型的层(130)。例如，晶体管结构(50)可以是p沟道晶体管结构(50)，并且第一应力类型可以是拉伸，或者晶体管结构(60)可以是n沟道晶体管结构，并且第一应力类型(70)可以是压缩。晶体管结构(50)可以包括位于有源区中的沟道区(54)。有源区的边缘包括沟道区(54)和场隔离区(22)之间的界面。自顶视图观察，该层可以包括位于有源区边缘附近的边缘。边缘之间的位置关系可以影响晶体管结构(50)的沟道区(54)中的载流子迁移率。

主权项

1.一种电子器件，包括：包括第一有源区的第一传导类型的第一晶体管结构，所述第一有源区具有基本上沿第一沟道长度方向延伸的第一边缘；包括第二有源区的所述第一传导类型的第二晶体管结构，所述第二有源区具有基本上沿第二沟道长度方向延伸的第二边缘；位于所述第一和第二有源区之间的场隔离区的一部分；以及位于所述场隔离区所述部分上面的第一应力类型的层的一部分，其中，所述第一应力类型的所述层的所述部分不是侧壁间隔物并且具有位于与所述第一有源区的所述第一边缘相邻的第一边缘和位于与所述第二有源区的所述第二边缘相邻的第二边缘。