[发明专利]制造多个半导体器件和载体衬底的方法有效
| 申请号： | 200680041953.6 | 申请日： | 2006-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101305456A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | R·德克;G·J·A·M·弗黑登;T·M·米切尔森;C·J·范德波尔;C·A·H·A·穆特萨尔斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非;谭祐祥 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将单个器件(100)局部附接到载体衬底(10)，以使能够从载体衬底(10)将这些器件单独去除。这通过图案化的牺牲层尤其是一种可通过分解成气态或汽化分解产品去除的层的使用来实现。载体衬底(10)与单个器件(100)之间的机械连接由粘附层(40)的桥接部分(43)提供。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 载体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造载体衬底的方法，多个微电子器件附接到所述载体衬底，每个所述微电子器件包括电气元件的电路，所述方法包括以下步骤：提供载体衬底和处理衬底的分组件，图案化的牺牲层和粘附层处于所述载体衬底与处理衬底之间，所述分组件包括所述器件；使用穿过所述处理衬底的通孔，所述通孔中的至少一些用作相邻的微电子器件之间的分离通路，以及穿过所述通孔中的至少一些除去所述牺牲层，从而在所述微电子器件的牺牲区域与所述载体衬底之间产生气隙，所述器件用所述粘附层保持附接到所述载体衬底，所述粘附层的桥接部分布置在邻近于所述气隙的位置，以使可通过所述粘附层的选择性裂开将微电子器件单独从所述载体衬底除去。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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