[发明专利]表面上具有针状突起排列结构的金刚石的生产方法、金刚石材料、电极与电子器件无效

专利信息
申请号: 200680042616.9 申请日: 2006-05-29
公开(公告)号: CN101310047A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 寺岛千晶;在原一树;藤嶋昭 申请(专利权)人: 东海旅客铁道株式会社
主分类号: C30B29/04 分类号: C30B29/04;C30B33/12;H01M4/02;H01M4/58;H01M4/96
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张平元
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在一个方面,提供了表面上具有极其微小针状突起排列结构的金刚石的生产方法,该方法不仅简化了生产过程,而且还适用于各种各样结构的材料。在金刚石基底材料(2a)的至少表面附近的区域中掺杂1×1019以上浓度的至少一种掺杂剂,该掺杂剂选自硼(B)、氮(N)、铝(Al)、硅(Si)、磷(P)、硫(S)、铜(Cu)、砷(As)、钼(Mo)、铂(Pt)和金(Au),所述金刚石基底材料(2a)表面上用氧气干蚀刻处理,由此在该金刚石基底材料表面上形成针状突起排列结构(3)。
搜索关键词: 表面上 具有 针状 突起 排列 结构 金刚石 生产 方法 材料 电极 电子器件
【主权项】:
1.一种表面上具有针状突起排列结构的金刚石的生产方法,该方法包括通过使用氧气的干蚀刻法处理金刚石基底材料表面以在该金刚石基底材料表面上形成针状突起排列结构的步骤,其中,将至少一种选自硼(B)、氮气(N)、铝(Al)、硅(Si)、磷(P)、硫(S)、铜(Cu)、砷(As)、钼(Mo)、铂(Pt)和金(Au)的掺杂剂,以1×1019原子/cm3以上的浓度,至少在该金刚石基底材料表面附近的区域中掺杂。
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