[发明专利]金属基极纳米线晶体管无效
| 申请号： | 200680042885.5 | 申请日： | 2006-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101310389A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 普拉巴特·阿加瓦尔;戈德弗里丢斯·A·M·胡尔克斯 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 在此提出一种金属基极晶体管。该晶体管包括第一和第二电极(2，6)、以及控制第一和第二电极之间的电流的基极电极(6)。第一电极(2)由半导体材料制成。基极电极(3)是沉积在形成第一电极的半导体材料上面的金属层。根据本发明，第二电极由与基极电极(3)电接触的半导体纳米线(6)形成。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 基极 纳米 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：第一和第二电极(2，6)，以及用于控制第一和第二电极之间的电流的基极电极(3)，其中第一电极(2)由半导体材料制成，其中基极电极是沉积在形成第一电极的半导体材料之上的金属层，其特征在于，第二电极由与基极电极(3)电接触的半导体纳米线(6)形成。
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