[发明专利]半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200680042994.7 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101312912A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 矢野公规;井上一吉;田中信夫 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以以较低温度制作而且也可以在具有挠曲性的树脂基板上形成的半导体薄膜，其是载流子浓度低而且霍尔迁移率高、另外能带间隙大的透明半导体薄膜，其中，通过使含有氧化锌和氧化锡的非晶质膜成膜，以使载流子密度为10+17cm－3以下、霍尔迁移率为2cm2/V·sec以上、能带间隙为2.4eV以上，然后进行氧化处理，从而形成透明半导体薄膜(40)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 及其 制造 方法 以及 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜，其由含有氧化锌和氧化锡的非晶质膜构成，其特征在于，电阻率为10～107Ωcm。
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