[发明专利]制造半导体器件的方法以及用该方法获得的半导体器件

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法以及用该方法获得的半导体器件。在半导体本体(12)中形成第一半导体区(13)以形成集电极区和发射极区(1、3)中的一个，以及在半导体本体(12)的表面上形成包括第一绝缘层(4)、多晶半导体层(5)和第二绝缘层(6)的叠层，在所述叠层中形成开口(7)，然后利用非选择性外延生长沉积了另一半导体层(22)，其中所述开口(7)底部上的单晶水平部分形成基区(2)以及开口(7)侧面上的多晶垂直部分(2A)与多晶半导体层(5)相连，然后与开口(7)侧面平行地形成间隔区(S)以及在所述间隔区(S)之间形成第二半导体区(31)。这样可以以低成本的方式制得具有良好高频性能的双极晶体管器件。

主权项

1.一种制造具有衬底(11)和半导体本体(12)的半导体器件(10)的方法，所述半导体器件配置有包括具有发射极区(1)、基区(2)和集电极区(3)的至少一个双极晶体管，其中在半导体本体(12)中形成第一半导体区(13)以形成集电极区和发射极区(1、3)中的一个，以及在半导体本体(12)的表面上形成包括第一绝缘层(4)、多晶半导体层(5)和第二绝缘层(6)的叠层，在所述叠层中形成开口(7)，然后通过非选择性外延生长沉积另一半导体层(22)，其中所述开口(7)底部上的单晶水平部分形成基区(2)以及开口(7)侧面上的多晶垂直部分(2A)与多晶半导体层(5)相连，然后与开口(7)侧面平行地形成间隔区(S)以及在所述间隔区(S)之间形成第二半导体区(31)以形成发射极区和集电极区(1、3)中的另一个(1)，其特征在于在沉积所述另一半导体层(22)之前，向所述第二绝缘层(6)提供端部(6A)，从投影看所述端部悬挂在下层半导体层(5)的端部(5A)之上。