[发明专利]硅锗氢化物以及制造和使用其的方法无效
| 申请号： | 200680043728.6 | 申请日： | 2006-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101365648A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | J·库韦塔基斯;C·J·里特三世;C·胡;I·S·T·宗;A·奇日梅什亚 | 申请（专利权）人： | 亚利桑那董事会;代表亚利桑那州立大学行事的法人团体 |
| 主分类号： | C01B6/06 | 分类号： | C01B6/06;H01L21/205;C07F7/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了新型的硅锗氢化物化合物，它们的合成方法，它们的沉积方法和使用所述新型化合物制成的半导体结构。该化合物由下式限定：(SiHn1)x(GeHn2)y，其中x是2、3或4；其中y是1、2或3；其中x+y为3、4或5；其中对于该化合物中的每个原子，n1独立地为0、1、2或3，以便满足化合价；并且其中对于该化合物中的每个Ge原子，n2独立地为0、1、2或3，以便满足化合价；条件是当y为1时n2不为0；另外的条件是当x为3且y为1时，n2为2或3；且另外的条件是当x为2且y为1时，n2为3。 | ||
| 搜索关键词： | 氢化物 以及 制造 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.包含式(SiHn1)x(GeHn2)y的硅锗氢化物的化合物，其中x是2、3或4；其中y是1、2或3；其中x+y为3、4或5；其中对于该化合物中的每个Si原子，n1独立地为0、1、2或3，以便满足化合价；并且其中对于该化合物中的每个Ge原子，n2独立地为0、1、2或3，以便满足化合价；条件是当y为1时n2不为0；另外的条件是当x为3且y为1时，n2为2或3；且另外的条件是当x为2且y为1时，n2为3。
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