[发明专利]磁记录介质用支持体和磁记录介质有效
| 申请号： | 200680043797.7 | 申请日： | 2006-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101313357A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 堀江将人;佐藤诚;东大路卓司;中森由佳里;渡边宏聪 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/73 | 分类号： | G11B5/73;G11B5/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种尺寸稳定性、抗裂性优异的支持体，所述支持体特别是在形成磁记录介质时，能够制得由环境变化所引起的尺寸变化小、出错率少的高密度磁记录介质。本发明的磁记录介质用支持体，是在聚酯薄膜的两面设有含金属系氧化物的层即M层，并且这些M层的厚度均为50～200nm的磁记录介质用支持体，其特征在于，该磁记录介质用支持体的总光线透过率为0～75％，各个表面的表面电阻率为1×102～1×1013Ω。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 支持 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质用支持体，是在聚酯薄膜的两面设有含金属系氧化物的层即M层，并且这些M层的厚度分别为50～200nm的磁记录介质用支持体，其特征在于，该磁记录介质用支持体的总光线透过率为0～75％，各表面的表面电阻率为1×102～1×1013Ω。
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