[发明专利]基于纯有机材料的高迁移率高效率有机膜有效
申请号: | 200680043977.5 | 申请日: | 2006-09-29 |
公开(公告)号: | CN101313424A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 隆达·F·萨尔兹曼;史蒂芬·R·福里斯特 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿大学理事会 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 郇春艳;郭国清 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种纯化小分子有机材料的方法,进行以有机小分子材料的第一样品开始的一系列操作。第一步(904)是通过热梯度升华来纯化有机小分子材料。第二步(908)是通过光谱检测得自被纯化的有机小分子材料的至少一个样品的纯度。如果光谱测试显示出任何峰超过目标有机小分子的特征峰幅度的阈百分率,则第三步(910)将对被纯化的小分子材料重复第一至第三步。这些步骤至少进行两次。阈百分率为至多10%。优选阈百分率为5%,并且更优选为2%。阈百分率可基于在完成的装置中达到目标性能特征的先前样品的光谱来选择。 | ||
搜索关键词: | 基于 有机 材料 迁移率 高效率 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:以有机小分子材料的第一样品开始,依次进行如下步骤:(a)通过热梯度升华纯化有机小分子材料;(b)通过光谱法检测得自被纯化的有机小分子材料的至少一个样品的纯度;并且(c)如果光谱检测显示出任何峰超过目标有机小分子的特征峰幅度的阈百分率,那么对所述被纯化的小分子材料重复步骤(a)至(c),其中所述阈百分率不超过10%,并且步骤(a)至(c)至少执行两次。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普林斯顿大学理事会,未经普林斯顿大学理事会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680043977.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择