[发明专利]基于纳米结构的封装互连有效
| 申请号： | 200680044157.8 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101317255A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | D·苏;N·R·拉拉维卡 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例是一种互连技术。在管芯上形成纳米结构凸点。纳米结构凸点具有限定纳米尺寸的开口的模板以及从该纳米尺寸的开口延伸出来的纳米线。经由所述纳米结构凸点将所述管芯附着到基板。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 结构 封装 互连 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：在管芯上形成纳米结构凸点，所述纳米结构凸点具有限定纳米尺寸的开口的模板以及从所述纳米尺寸的开口生长的金属纳米线；以及经由所述纳米结构凸点而将所述管芯附着到基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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