[发明专利]用于编程/擦除非易失性存储器的方法和设备有效
| 申请号： | 200680044254.7 | 申请日： | 2006-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101317231A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | M·苏海尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有非易失性存储器(NVM)(14)的集成电路(10)，包括阈值选择器(28)，它在编程/擦除循环的第一部分期间选择多个读电流/电压阈值中的第一读电流/电压阈值，并且它在所述编程/擦除循环的第二部分期间选择多个读电流/电压阈值中的第二读电流/电压阈值，其中多个读电流/电压阈值中的第一读电流/电压阈值与多个读电流/电压阈值中的第二读电流/电压阈值是不同的。编程/擦除循环的第一部分在时间上发生在编程/擦除循环的第二部分之前。多个读电流/电压阈值中的第二读电流/电压阈值小于多个读电流/电压阈值中的第一读电流/电压阈值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 编程 擦除 非易失性存储器 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于编程/擦除非易失性存储器(NVM)的方法，包括：使用第一擦除电压发起NVM的至少一部分的擦除操作；选择第一读电流/电压阈值；确定NVM的所述至少一部分的第一实际读电流/电压；比较第一实际读电流/电压与第一读电流/电压阈值；如果第一实际读电流/电压低于第一读电流/电压阈值，则执行以下步骤：把至少一个擦除脉冲施加到NVM的所述至少一部分；选择第二读电流/电压阈值；确定NVM的所述至少一部分的第二实际读电流/电压；比较第二实际读电流/电压与第二读电流/电压阈值；以及如果第二实际读电流/电压不低于第二读电流/电压阈值，则完成擦除操作，其中第一读电流/电压阈值与第二读电流/电压阈值是不同的。
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