[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680044439.8 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN101317272A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 高桥健介 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;郇春艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，包括：硅衬底，布置在硅衬底上的栅绝缘膜，布置在栅绝缘膜上的栅电极，以及形成在栅电极两侧上的衬底中的源/漏区。该半导体器件的特征在于：栅电极具有由金属M1的硅化物构成的第一硅化物层状区、和布置在该第一硅化物层状区上的第二硅化物层状区，该第二硅化物层状区由与金属M1相同金属的硅化物构成且比第一硅化物层状区的电阻率更低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包含：硅衬底；硅衬底上的栅绝缘膜；栅绝缘膜上的栅电极；和在栅电极两侧上的衬底中形成的源/漏区，其中该栅电极包括：由金属M1的硅化物形成的第一硅化物层状区；以及第一硅化物层状区上的第二硅化物层状区，该第二硅化物层状区由与金属M1相同的金属的硅化物形成，且比第一硅化物层状区的电阻率更低。
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