[发明专利]用于光发射的半导体器件的制作有效
| 申请号： | 200680044817.2 | 申请日： | 2006-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101317278A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 袁述;康学军;吴大可 | 申请（专利权）人： | 霆激技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有多个外延层的用于光发射的半导体器件，该多个外延层具有用于光发射的n型层和用于光反射的p型层。p型层具有用于导电金属外部层的至少一个种子层。该至少一个种子层是用于提供对外部层和光反射层的不同热膨胀的缓冲的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发射 半导体器件 制作 | ||
【主权项】：
1.一种用于光发射的半导体器件，包括：(a)多个外延层，包括用于光生成的有源层、用于光传输的n型层和用于光反射的p型层；(b)其上具有用于导电金属外部层的至少一个种子层的所述p型层；(c)至少一个种子层，其包括用于提供对所述外部层和所述光反射层的不同热膨胀的缓冲的材料。
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