[发明专利]发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680045513.8 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101322256A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 坂本陵;岩田雅年;辻川进;小林良幸 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/183 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光元件(1)，其具有埋入结构的电流阻挡层(9)，电流阻挡层(9)的至少一部分的氧浓度高于发光层中的氧浓度，并且电流阻挡层(9)的厚度为5nm～100nm。在电流阻挡层(9)的下部含有蚀刻停止层(24)，蚀刻停止层(24)具有耐氧化性。采用本发明，可以提供一种电流限制效果得以提高、从而获得正向电压低且输出功率高的发光元件(1)及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，其包括发光层和电流阻挡层，其特征在于：所述发光元件具有埋入结构的电流阻挡层，所述电流阻挡层的至少一部分的氧浓度高于所述发光层中的氧浓度，并且所述电流阻挡层的厚度为5nm～100nm。
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