[发明专利]选择性蚀刻栅极隔片氧化物材料的组合物和方法无效
| 申请号： | 200680045618.3 | 申请日： | 2006-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN101496146A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 马萨·拉贾拉特纳姆;大卫·D·伯恩哈德;大卫·W·明赛克 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了从其上具有栅极隔片氧化物材料的微电子器件上至少部分去除所述材料的栅极隔片氧化物材料去除组合物和方法。所述无水去除组合物包括至少一种有机溶剂、至少一种螯合剂、碱氟化物:酸氟化物组分、和任选至少一种钝化剂。相对于多晶硅和氮化硅，所述组合物从微电子器件表面上的栅电极周围选择性除去栅极隔片氧化物材料，同时对栅电极结构中所使用的金属硅化物互连材料具有最小的蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 蚀刻 栅极 氧化物 材料 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极隔片氧化物材料去除组合物，包括至少一种有机溶剂、至少一种螯合剂、和比率为约1∶1至约10∶1的碱氟化物∶酸氟化物组分，其中所述去除组合物基本上不含水，并且其中相对于多晶硅和氮化硅两者，所述去除组合物适合从其上具有栅极隔片氧化物材料、多晶硅和氮化硅的微电子器件上选择性除去栅极隔片氧化物材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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