[发明专利]减少非易失性存储装置的读取干扰有效
| 申请号： | 200680046056.4 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101371314A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 方玉品;万钧;杰弗里·卢策 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种用于减少或去除非易失性存储装置中的一种形式的读取干扰的系统。一个实施例通过消除存储器元件的沟道的升压或将其减到最小来设法防止读取干扰。举例来说，一个实施方案防止或减少在读取过程期间NAND串沟道的源极侧的升压。因为所述NAND串沟道的所述源极侧未升压，所以至少一种形式的读取干扰被减到最小或未发生。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 非易失性 存储 装置 读取 干扰 | ||
【主权项】：
1.一种用于从非易失性存储器进行读取的方法，其包含：为一群非易失性存储元件设置读取条件；在设置所述读取条件的同时防止所述非易失性存储元件升压；以及通过在所述读取条件期间感测与所述非易失性存储元件相关联的电荷的消散而确定用于所述非易失性存储元件中的至少一者的数据。
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