[发明专利]金属相容的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层去除组合物无效
| 申请号： | 200680046497.4 | 申请日： | 2006-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101421386A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 梅利莎·K·拉斯;大卫·D·伯恩哈德;托马斯·H·包姆;江平;周仁杰;迈克尔·B·克赞斯基 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C11D7/50 | 分类号： | C11D7/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于从其上具有光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的微电子器件上去除所述材料的液体去除组合物和方法。所述液体去除组合物包括至少一种有机季碱和至少一种表面相互作用增强添加剂。在制造集成电路时，所述组合物实现至少部分去除光致抗蚀剂和/或SARC材料，同时对微电子器件上的金属材料如铜和钴的蚀刻最小化，且不会损害微电子器件结构中所用的低k介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 相容 光致抗蚀剂 牺牲 反射 涂层 去除 组合 | ||
【主权项】：
1. 一种液体去除组合物，所述去除组合物包括：至少一种有机季碱，至少一种表面相互作用增强添加剂，和任选至少一种选自下列的组分：至少一种碱金属或碱土金属源；至少一种有机溶剂；至少一种表面活性剂；至少一种螯合剂；及其组合，其中所述液体去除组合物用于从其上具有光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的微电子器件上去除所述材料。
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