[发明专利]使用参考传感器的组件阵列的用于金属伪影的补偿的电磁跟踪方法和装置有效

专利信息
申请号: 200680046673.4 申请日: 2006-12-11
公开(公告)号: CN101325908A 公开(公告)日: 2008-12-17
发明(设计)人: G·谢克特 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: A61B5/06 分类号: A61B5/06;G01V3/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 蹇炜
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种电磁跟踪方法,包括在感兴趣的区域(16)中生成电磁场(14)。响应所述电磁场附近金属伪影的出现,所述电磁场受到扭曲。具有预定的已知配置的参考传感器的阵列(30、50、102、104、110)置于所述感兴趣的区域附近。经由所述电磁场响应一个或多个所述参考传感器的激发来相对于所述电磁场生成器(12)确定所述参考传感器的阵列的第一组位置。不同于所述电磁场的第二机构(28)相对于所述第二机构确定所述参考传感器的阵列的至少一个或多个参考传感器的第二组位置的第一部分,所述第二机构与所述电磁场生成器成已知的空间关系。响应(i)使用所述第二机构确定的所述第二组位置的所述第一部分和(ii)所述参考传感器的阵列的所述预定已知的配置来确定所述参考传感器的阵列的所述参考传感器的所述第二组位置的其余部分。所述方法还包括作为所述参考传感器的阵列的所述第一和第二组参考传感器位置的函数补偿所述感兴趣的区域中的所述电磁场的金属扭曲。
搜索关键词: 使用 参考 传感器 组件 阵列 用于 金属 补偿 电磁 跟踪 方法 装置
【主权项】:
1、一种电磁跟踪方法,其特征是金属伪影的补偿,其包括:提供电磁场生成器(12)用于在感兴趣的区域(16)中生成电磁场(14),其中,响应所述电磁场和所述感兴趣的区域附近金属伪影的出现,所述电磁场受到扭曲;提供置于所述感兴趣的区域附近的参考传感器的阵列(30、50、102、104、110),所述参考传感器的阵列具有预定的已知配置;经由所述电磁场响应一个或多个所述参考传感器的激发来相对于所述电磁场生成器确定所述参考传感器的阵列的第一组位置;使用不同于所述电磁场的第二机构(28),相对于所述第二机构确定所述参考传感器的阵列的至少一个或多个参考传感器的第二组位置的第一部分,所述第二机构与所述电磁场生成器成已知的空间关系;响应(i)使用所述第二机构确定的所述第二组位置的所述第一部分和(ii)所述参考传感器的阵列的所述预定已知的配置来确定所述参考传感器的阵列的所述参考传感器的所述第二组位置的其余部分;以及作为所述参考传感器的阵列的所述第一和第二组参考传感器位置的函数补偿所述感兴趣的区域中的所述电磁场的金属扭曲。
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