[发明专利]用于集成器件的衬底级组件、其制造工艺及相关集成器件有效

专利信息
申请号: 200680046903.7 申请日: 2006-07-14
公开(公告)号: CN101331080A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: C·康比;B·维格纳;F·G·齐格利奥利;L·巴尔多;M·马古格利亚尼;E·拉萨兰德拉;C·里瓦 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81B7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳;张志醒
地址: 意大利*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要: 在衬底级组件(22)中,半导体材料的器件衬底(20)具有顶面(20a)并包封第一集成器件(1;16),特别地第一集成器件具有形成于器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及在顶面(20a)附近悬置于埋藏腔(3)上方的膜(4)。在顶面(20a)上方将帽盖衬底(21)耦合到器件衬底(20)以便覆盖第一集成器件(1;16),从而在膜(4)上提供第一空白空间(25)。电接触元件(28a,28b)将集成器件(1;16)与衬底级组件(22)的外部电连接。在一个实施例中,该器件衬底(20)集成至少一个具有相应膜(4′)的其他集成器件(1′,10);并且在所述其他集成器件(1′,10)的相应膜(4′)上方提供与第一空白空间(25)流体隔离的其他空白空间(25′)。
搜索关键词: 用于 集成 器件 衬底 组件 制造 工艺 相关
【主权项】:
1.一种衬底级组件(22),其特征在于包括:-半导体材料的器件衬底(20),其具有顶面(20a)并包封第一集成器件(1;16),所述第一集成器件在所述顶面(20a)附近具备有效面积(4);-帽盖衬底(21),其在所述顶面(20a)上方耦合到所述器件衬底(20)以便覆盖所述第一集成器件(1;16),所述耦合使得在对应于所述有效面积(4)的位置提供第一空白空间(25);以及-电接触元件(28a,28b),其用于将所述第一集成器件(1;16)与所述衬底级组件(22)外部电连接。
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