[发明专利]氮化镓系化合物半导体发光元件无效
| 申请号： | 200680046919.8 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101331617A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 村木典孝;篠原裕直 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供光取出效率优异的、具备具有开口部的正极的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，是在基板上顺序地层叠有由氮化镓系化合物半导体构成的、n型半导体层和发光层以及p型半导体层，并且分别与p型半导体层和n型半导体层接触地设有正极和负极的发光元件，其特征在于，正极是具有开口部的正极，在该开口部的p型半导体层表面的至少一部分是来源于球状的粒状物的凹凸面。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系化合物半导体发光元件，是在基板上顺序地层叠有包含氮化镓系化合物半导体的、n型半导体层和发光层以及p型半导体层，并且分别与p型半导体层和n型半导体层接触地设有正极和负极的发光元件，其特征在于，正极是具有开口部的正极，在该开口部的p型半导体层表面的至少一部分是来源于球状的粒状物的凹凸面。
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