[发明专利]用于等离子处理系统的刻痕停止脉冲工艺

摘要

一种用于在等离子处理室中蚀刻具有硅层的基片的方法，该室具有底部电极，在蚀刻过程中基片设置在该底部电极上。该方法包括执行主蚀刻步骤。该方法还包括当蚀刻深度达到预先设定的硅层厚度至少70％时终止该主蚀刻步骤。该方法进一步包括执行过蚀刻步骤。该过蚀刻步骤包括第一工艺步骤和第二工艺步骤。使用施加到底部电极的第一底部功率水平来执行第一工艺步骤。使用施加到底部电极的、比第一底部功率水平低的第二底部功率水平来执行第二工艺步骤。第一工艺和第二工艺步骤交替执行多次。该方法还包括在硅层被蚀刻穿之后终止过蚀刻步骤。

主权项

1.在等离子处理室中，用于蚀刻其上具有硅层的基片的方法，所述等离子处理室具有底部电极，在所述蚀刻过程中，所述基片设在所述底部电极上，该方法包括：执行主蚀刻步骤；当达到对所述硅层的预先设定的蚀刻深度时，终止所述主蚀刻步骤，所述预先设定的蚀刻深度是所述硅层厚度的至少70％；执行过蚀刻步骤，所述过蚀刻步骤包括第一工艺步骤和第二工艺步骤，使用施加到所述底部电极的第一底部功率水平来执行所述第一工艺步骤，使用施加到所述底部电极的、低于所述第一底部功率水平的第二底部功率水平来执行所述第二工艺步骤，其中所述第一工艺步骤和所述第二工艺步骤交替执行多次；以及在所述硅层被蚀刻穿之后，终止所述过蚀刻步骤。