[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200680047950.3 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101341590A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 简·桑斯基;韦伯·D·范诺尔特 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，其中采用分层结构来提供钻蚀结构，所述分层结构包括牺牲层，该牺牲层被夹在两个刻蚀停止层(8，11)之间，并且将半导体薄膜(9)从体衬底(1)分开。在分层结构中形成了穿过半导体层(9)厚度和穿过上刻蚀停止层(8)的访问沟槽(4)和支撑沟槽(5)。支撑沟槽在牺牲层(12)和下刻蚀停止层中延伸得更深，并且被填充。牺牲层被暴露并且通过对刻蚀停止层具有选择性的刻蚀被刻蚀掉，以形成空腔(30)，并且牺牲层实现了经由包括填充的支撑沟槽的垂直支撑结构而被附着在体衬底上的半导体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：形成分层结构，该分层结构至下而上包括：衬底、下刻蚀停止层、牺牲层、上刻蚀停止层和半导体层；形成穿过所述半导体层和所述上刻蚀停止层的第一组沟槽；形成穿过所述半导体层、所述上刻蚀停止层、所述牺牲层和所述下刻蚀停止层的第二组沟槽；填充所述第二组沟槽，以提供所述半导体层和所述衬底之间的支撑结构；通过所述第一组沟槽，用对所述上刻蚀停止层和所述下刻蚀停止层具有选择性的刻蚀来刻蚀所述牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
