[发明专利]具有电路图案的玻璃基底和用于生产其的方法无效
| 申请号： | 200680048552.3 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101347054A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 佐藤了平;中川浩司;臼井玲大;田中健治;高木悟;江畑研一;青木由美子 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/08 | 分类号： | H05K3/08;H01J9/02;H01J11/02;H05K3/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于产生具有电路图案(26)的玻璃基底(10)的方法，其包括：电路图案形成步骤：在玻璃基底上形成薄膜层(12)，然后使用激光(22)照射所述薄膜层以在所述玻璃基底上形成电路图案；低熔点玻璃沉积步骤：在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上沉积软化点在450到630℃之间的低熔点玻璃(28)；以及，烧结步骤：烧结所述低熔点玻璃以形成低熔点玻璃层(32)并且在所述玻璃基底和所述低熔点玻璃层之间形成兼容层(34)，所述低熔点玻璃层包括烧结在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上的所述低熔点玻璃。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电路 图案 玻璃 基底 用于 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于产生具有电路图案的玻璃基底的方法，其包括：电路图案形成步骤：在玻璃基底上形成薄膜层，然后使用激光照射所述薄膜层以在所述玻璃基底上形成电路图案；低熔点玻璃沉积步骤：在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上沉积软化点在450到630℃之间的低熔点玻璃；以及烧结步骤：烧结所述低熔点玻璃以形成低熔点玻璃层并且在所述玻璃基底和所述低熔点玻璃层之间形成兼容层，所述低熔点玻璃层包括烧结在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上的低熔点玻璃。
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