[发明专利]用于制造半导体装置的激光辐射设备和方法有效
申请号: | 200680048612.1 | 申请日: | 2006-12-13 |
公开(公告)号: | CN101346800A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 田中幸一郎;山本良明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/08;H01L21/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;刘宗杰 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种激光辐射设备,其具有激光振荡器,铰接的光束传播器,其中多个管道在铰接部分中互相连接,以及在该铰接部分中的激光束的线路改变装置。该多个管道中的至少一个管道包括用于抑制激光束在每个管道中的传播方向上的摆动的传递透镜。该铰接部分产生激光振荡器的设置的自由度,并且该传递透镜能够抑制光束轮廓的变化。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体 装置 激光 辐射 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种激光辐射设备,包括:激光振荡器;和铰接的光束传播器,传播由该激光振荡器产生的激光束,其中该铰接的光束传播器包括:至少第一和第二铰接部分;多个管道,其中第一个管道的一端通过该第一铰接部分连接到第二个管道的一端,并且其中该第一个管道的另一端通过该第二铰接部分连接到第三个管道的一端;激光束的至少第一和第二线路改变器,该第一和第二线路改变器被分别设置在该第一和第二铰接部分中;和被包括在第一个管道内的传递透镜,其中该传递透镜被设置成使得插入该传递透镜的第一和第二线路改变器相互共轭。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造