[发明专利]膜形成组合物有效
| 申请号： | 200680049112.X | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101346799A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 森田敏郎;佐藤功 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;C09D183/00;H01L21/316 |
| 代理公司： | 深圳创友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以容易地剥离杂质扩散后的保护膜，且具有更高的保护效果的二氧化硅类膜形成组合物。本发明的膜形成组合物，是在向硅晶片中扩散杂质时，构成用以部分防止所述杂质扩散的保护膜的膜形成组合物，其含有高分子硅化合物、及含保护元素的化合物，所述保护元素与所述成为杂质扩散源的元素共价结合而使价电子达到8个。在使用磷作为扩散源时，保护元素优选镓或铝，而在使用硼作为扩散源时，保护元素优选钽、铌、砷或锑。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 组合 | ||
【主权项】：
1.一种膜形成组合物，其特征在于：其是在向硅晶片中扩散杂质时，构成用以部分防止所述杂质扩散的保护膜的膜形成组合物，其含有高分子硅化合物、及含保护元素的化合物，所述保护元素与所述成为杂质扩散源的元素共价结合而使价电子达到8个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
