[发明专利]掩模坯料及光掩模有效
| 申请号： | 200680049390.5 | 申请日： | 2006-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101346664A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 三井胜;佐野道明 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供适合多色波曝光的FPD用大型掩模及掩模坯料。该掩模坯料用于制造在透光性基板上至少具有灰色调掩模用半透光性膜的FPD设备，该灰色调掩模用半透光性膜具有调节透过量的功能，其特征在于，所述灰色调掩模用半透光性膜是在由超高压汞灯放射的至少从i线到g线的波长带区域中，半透光性膜的透过率(即半透过率)的变动幅度被控制在不足5％的范围内的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 坯料 光掩模 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造FPD设备的掩模坯料，其在透光性基板上至少具有灰色调掩模用半透光性膜，该灰色调掩模用半透光性膜具有调节透过量的功能，其特征在于，所述灰色调掩模用半透光性膜是在由超高压汞灯放射的至少从i线到g线的波长带区域中，半透光性膜的透过率的变动幅度被控制在不足5％的范围内的膜。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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