[发明专利]通过包含无电和供电的阶段的湿式化学沉积而在图案化的电介质上形成金属层有效
| 申请号： | 200680049489.5 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101351869A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | A·普罗伊塞;S·魏纳;M·诺普 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明为通过在原位(in situ)进行无电沉积和电沉积工艺，而可提供高度可靠的金属化作用，其中可克服由用来形成籽晶层的习知化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和物理气相沉积(PVD)技术所遭遇到的关于污染和器件缩放尺寸(device scaling)的限制。在一些实施例中，亦根据湿式化学沉积工艺而沉积阻挡层(barrier layer)。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 包含 供电 阶段 化学 沉积 图案 电介质 形成 金属 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括下列步骤：通过施加电解液(118)和进行无电湿式化学沉积工艺而在半导体器件(100)的图案化层之上沉积金属(114)；以及在施加该电解液(118)以便进一步沉积该金属(114)时，在该电解液(118)中建立外部产生电场(119)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
