[发明专利]Ⅲ族氮化物类发光装置有效
| 申请号： | 200680049728.7 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101351898A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 成泰连 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种III族氮化物类发光二极管。所述III族氮化物类发光二极管包括：基底；n型氮化物类覆层，形成在基底上；氮化物类有源层，形成在n型氮化物类覆层上；p型氮化物类覆层，形成在氮化物类有源层上；p型多层欧姆接触层，形成在p型氮化物类覆层上，并包含热分解氮化物。通过将氮(N)与从由镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、铟(In)和锡(Sn)组成的组中选出的至少一种金属组分结合来获得所述热分解氮化物。在III族氮化物类发光装置的p型氮化物覆层的界面提高欧姆接触特性，从而改善电流－电压特性。此外，由于改善了透明电极的透光率，所以也改善了III族氮化物类发光装置的发光效率和亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 发光 装置 | ||
【主权项】：
1、一种III族氮化物类发光二极管，该发光二极管包括：基底；n型氮化物类覆层，形成在基底上；氮化物类有源层，形成在n型氮化物类覆层上；p型氮化物类覆层，形成在氮化物类有源层上；p型多层欧姆接触层，形成在p型氮化物类覆层上，并包含热分解氮化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680049728.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂离子电池正极材料复合导电剂
- 下一篇：曝光装置和器件制造方法
