[发明专利]低压高速缓存的修复位有效
| 申请号： | 200680049881.X | 申请日： | 2006-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101379566A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | M·J·德姆普塞;J·A·迈斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王丹昕 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述用于修复高速缓存存储器/阵列的方法和装置。高速缓存包括多个行，并且在逻辑上可见呈多个列。耦合到该高速缓存的修复高速缓存包括映射到每个在逻辑上可见的列的修复位。修复模块基于任何个别因素或因素组合来确定列中待修复的坏位，这些因素如高速缓存的每行中的错误数量、高速缓存的每行中可以通过错误校正码(ECC)校正的错误数量、位故障率或其它考虑因素。在访问包括坏位的高速缓存行时，通过映射到包括坏位的列的修复位来透明地修复坏位。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 高速缓存 修复 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：具有多个字的高速缓存，所述高速缓存在逻辑上可见呈多个列；具有多个修复路的修复高速缓存，所述多个修复路中的每一修复路与所述多个列中的一个列关联；修复模块，用于以所述多个修复路中的与包含第一位的第一列关联的第一路中的修复位来修复第一位。
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