[发明专利]非晶合金薄带、纳米晶软磁合金以及由纳米晶软磁合金组成的磁芯有效

专利信息
申请号: 200680050311.2 申请日: 2006-09-21
公开(公告)号: CN101351571A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 吉泽克仁;小川雄一 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: C22C45/02 分类号: C22C45/02;B22D11/06;C22C38/00;H01F1/153;C21D6/00
代理公司: 北京英特普罗知识产权代理有限公司 代理人: 齐永红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 即使使用宽幅非晶薄带,仍然能够提供具有良好的交流磁性能、小的分散、良好的高温长时间稳定性、良好的量产生产率的纳米晶软磁合金、纳米晶软磁合金制备的磁芯、以及纳米晶软磁合金用非晶薄带。一种非晶合金薄带,其中合金组成为Fe100-a-b-c-dMaSibBcCd(原子%),0<a≤10,0≤b≤20,2≤c≤20,0<d≤2,9≤a+b+c+d≤35,和含有的不可避免的杂质,所述M至少选自元素Ti,V,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta和W中的一种,用SiO2换算的C浓度最大值距所述非晶合金表面2-20nm深。
搜索关键词: 合金 纳米 晶软磁 以及 组成
【主权项】:
1、一种非晶合金薄带,其中合金组成表示为Fe100-a-b-c-dMaSibBcCd(原子%),0<a≤10,0≤b≤20,2≤c≤20,0<d≤2,9≤a+b+c+d≤35,以及含有的不可避免的杂质,所述M是至少选自元素Ti,V,Zr,Nb,Mo,Hf,Ta和W中的一种,用SiO2换算C浓度峰值距所述非晶合金表面2-20nm深。
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