[发明专利]光电有源半导体材料以及光电池无效
| 申请号： | 200680050332.4 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101351894A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | H－J·施特策尔 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电有源半导体材料与一种包括光电有源半导体材料的光电池，其中该光电有源半导体材料包含由碲化锌构成的晶格，并且在碲化锌晶格中，ZnTe被0.01至10摩尔％的CoTe、0至10摩尔％的Cu2Te、Cu3Te或CuTe、以及0至30摩尔％的选自MgTe与MnTe的至少一种化合物所取代，以及其中，在碲化锌晶格中，Te被0.1至30摩尔％的氧所取代。该光电池还具有背接触，该背接触由与碲形成金属碲化物的背接触材料构成。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 有源 半导体材料 以及 光电池 | ||
【主权项】：
1.一种光电有源半导体材料，包括碲化锌晶格，其中，所述碲化锌晶格中的ZnTe被下列物质取代：·0.01至10摩尔％的CoTe，·0至10摩尔％的Cu2Te、Cu3Te或CuTe，以及·0至30摩尔％的选自MgTe和MnTe的至少一种化合物，其中Te被下列物质取代：·0.1至30摩尔％的氧。
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