[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200680050353.6 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101351872A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 福岛康守;高藤裕;竹井美智子;富安一秀 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。进行在形成有元件隔离区域的第二区域的至少一部分平坦区域以相等的厚度形成第一平坦化膜的第一平坦化膜形成工序、在第一平坦化膜之间形成具有与第一平坦化膜的表面相接的平坦表面的第二平坦化膜的第二平坦化膜形成工序、通过第一平坦化膜或第二平坦化膜将剥离用物质离子注入到基体层中来形成剥离层的剥离层形成工序、以及沿着剥离层将基体层的一部分分离的分离工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有活性区域形成在基体层的多个第一区域、和设在该各个第一区域之间且形成有元件隔离区域的各个第二区域，其特征在于：包括以下各个工序：第一平坦化膜形成工序，在所述各个第二区域的至少一部分平坦区域以相等的厚度形成具有平坦表面的第一平坦化膜；第二平坦化膜形成工序，在所述第一平坦化膜之间形成具有与所述第一平坦化膜的表面相接的平坦表面的第二平坦化膜；剥离层形成工序，通过所述第一平坦化膜或所述第二平坦化膜将剥离用物质离子注入到所述基体层中来形成剥离层；以及分离工序，沿着所述剥离层将所述基体层的一部分分离下来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
