[发明专利]具有共振隧道势垒的增强的多位非易失性存储器装置

摘要

一种非易失性存储器单元使用共振隧道势垒(600)，所述共振隧道势垒(600)在HfSiON或LaAlO₃的两个层(610，612)之间具有非晶硅及/或非晶锗层(611)。电荷捕捉层(620)形成于所述隧道势垒上。高k电荷阻挡层形成于所述电荷捕捉层上。控制栅极(623)形成于所述电荷阻挡层上。另一实施例在隧道势垒(600)上形成包含两个氧化物层(610，612)的浮动栅极(620)，其中在所述氧化物层之间具有硅及/或锗的非晶层(611)。

主权项

1、一种非易失性存储器单元，其包括：衬底，其具有一对源极/漏极区域；栅极绝缘层堆叠，其形成于所述衬底上且大致位于所述源极/漏极对的区域之间，所述绝缘层堆叠包括：形成于所述衬底上的HfSiON或LaAlO3中的一者的第一层；所述第一层上的硅或锗的非晶层；及形成于所述非晶层上的HfSiON或LaAlO3中的一者的第二层；电荷捕捉层，其形成于所述栅极绝缘层堆叠上；电荷阻挡层，其形成于所述电荷捕捉层上；及栅极，其形成于所述电荷阻挡层上。